제품 개요
이 고성능 열처리 시스템은 다중 열 구역에 대한 정밀하고 독립적인 제어가 필요한 첨단 재료 연구 및 산업 개발을 위해 설계되었습니다. 듀얼 존 구성을 활용하여 화학 기상 수송(CVT) 및 물리 기상 증착(PVD)과 같은 특수 공정에 필수적인 정교한 온도 구배를 생성할 수 있습니다. 이 시스템은 단일 장치 내에 두 가지 고유한 가열 기술을 결합하여 기능성 재료 합성 및 고품질 에피택셜 박막 성장을 위한 다목적 플랫폼을 제공합니다.
가장 까다로운 실험실 및 산업 환경을 위해 설계된 이 장치는 반도체 연구, 야금 및 고체 화학 분야에서 광범위하게 사용됩니다. 전이 금속 디칼코게나이드(TMD) 나노리본 성장 및 고순도 단결정 개발에 집중하는 연구자들에게 중요한 도구입니다. 견고한 구조 덕분에 1700ºC에 달하는 온도에서도 탁월한 열 안정성을 유지하여 중요도가 높은 R&D 프로젝트에서 일관되고 반복 가능한 결과를 보장합니다.
신뢰성과 안전성은 이 장비 설계 철학의 핵심입니다. 이중 레이어 강철 케이스와 통합 냉각 팬으로 제작되어 외부 표면 온도를 낮게 유지함으로써 실험실 인력과 주변 장비를 보호합니다. 고순도 섬유질 알루미나 단열재를 사용하여 에너지 효율을 높일 뿐만 아니라 급속 가열 및 냉각 사이클을 지원하여 바쁜 연구 시설의 처리량을 극대화합니다. 구매자는 성능 저하 없이 연속적인 고온 작동의 가혹함을 견딜 수 있도록 설계된 이 시스템에 안심하고 투자할 수 있습니다.
주요 특징
- 독립적인 듀얼 존 제어: 각각 12인치인 가열 구역은 자체 정밀 디지털 컨트롤러에 의해 관리되어, 전체 24인치 구간에 걸쳐 특정 열 구배를 생성하거나 균일한 가열을 수행할 수 있습니다.
- 첨단 듀얼 발열체 기술: 첫 번째 구역은 최대 1400ºC까지 안정적인 작동을 위해 탄화규소(SiC) 발열체를 사용하며, 두 번째 구역은 최대 1700ºC까지 도달하기 위해 이규화몰리브덴(MoSi2) 발열체를 사용하여 다양한 열 프로파일에 대해 타의 추종을 불허하는 유연성을 제공합니다.
- 정밀 PID 온도 관리: 듀얼 30단계 프로그래밍 가능 디지털 컨트롤러를 갖추고 있으며, SCR(실리콘 제어 정류기)을 통한 자동 PID 제어를 제공하여 ±1ºC 이내의 정확도를 보장합니다.
- 고순도 알루미나 단열재: 퍼니스 챔버는 고밀도 섬유질 알루미나로 라이닝되어 열 손실을 최소화하고 높은 수준의 온도 균일성을 보장하며 민감한 샘플의 오염을 방지합니다.
- 향상된 안전 프로토콜: 통합 과열 경보 및 자동 보호 회로를 통해 안전한 무인 작동이 가능하며, 이중 레이어 케이싱으로 외부 환경을 시원하게 유지합니다.
- 진공 대응 밀폐 시스템: 밸브와 압력계가 내장된 고강도 스테인리스 스틸 진공 밀폐 플랜지가 포함되어 있어 저압 응용 분야 및 불활성 분위기 처리를 지원합니다.
- 고강도 알루미나 공정 튜브: 다양한 튜브 직경(50mm, 60mm, 80mm)을 지원하여 고온에서도 구조적 무결성을 유지하면서 다양한 샘플 부피와 처리량 요구 사항을 수용합니다.
- 견고한 전력 구조: UL 승인을 받은 고용량 전원 케이블과 60A 에어 브레이커 요구 사양을 사용하여 전력 수요가 높은 가열 단계에서도 안정적인 전력 공급을 보장합니다.
- 다양한 인터페이스 옵션: 표준 바브 호스 피팅은 고진공 응용 분야를 위한 KF25 어댑터 또는 고압 가스 공급을 위한 VCR 페이스 씰 피팅으로 업그레이드할 수 있어 특정 기술적 요구 사항을 충족합니다.
응용 분야
| 응용 분야 | 설명 | 주요 이점 |
|---|---|---|
| TMD 나노리본 성장 | 전이 금속 디칼코게나이드 나노리본 성장 중 칼코겐 증기압의 정밀 제어. | 성장 동역학에 영향을 주지 않고 증기 농도를 독립적으로 조절. |
| 화학 기상 수송(CVT) | 화학 증기 이동을 위해 공정 튜브 전체에 안정적인 온도 구배 설정. | PdCoO2와 같은 대형 고순도 단결정 성장 가능. |
| 에피택셜 박막 성장 | 진공 상태에서 CVD 또는 PVD 공정을 활용하여 기판에 얇은 층 증착. | 성장 구역 전체의 높은 온도 균일성으로 일관된 박막 두께 보장. |
| 촉매 열분해 | 폐타이어와 같은 산업 폐기물을 제어된 속도로 가열하여 부산물 분포 분석. | 국부적 과열 방지 및 고품질 오일/가스 회수 보장. |
| 기능성 재료 합성 | 재료 전구체를 특정 열 구배에 노출시켜 원하는 상 변화 유도. | 맞춤형 물리적 특성을 가진 첨단 재료의 반복 가능한 생산. |
| 반도체 도핑 | 고온 분위기 제어 하에서 반도체 웨이퍼 내로 도펀트 확산. | 정밀한 30단계 프로그래밍으로 정확한 침투 깊이 제어 가능. |
| 세라믹 소결 | 첨단 세라믹 분말을 고온에서 고체 부품으로 압축. | 최대 10ºC/min의 급속 가열 속도로 고밀도 세라믹의 공정 시간 최적화. |
기술 사양
| 매개변수 | TU-74-50 | TU-74-60 | TU-74-80 |
|---|---|---|---|
| 튜브 외경 | 50 mm | 60 mm | 80 mm |
| 튜브 내경 | 44 mm | 54 mm | 74 mm |
| 튜브 길이 | 1200 mm | 1200 mm | 1200 mm |
| 구역 1 최고 온도 | 1500ºC (SiC 발열체) | 1500ºC (SiC 발열체) | 1500ºC (SiC 발열체) |
| 구역 2 최고 온도 | 1700ºC (MoSi2 발열체) | 1700ºC (MoSi2 발열체) | 1700ºC (MoSi2 발열체) |
| 가열 구역 길이 | 12" + 12" (300mm + 300mm) | 12" + 12" (300mm + 300mm) | 12" + 12" (300mm + 300mm) |
| 항온 구역 | 14" (350mm) 내 ±1ºC | 14" (350mm) 내 ±1ºC | 14" (350mm) 내 ±1ºC |
| 가열 속도 | 최대 10ºC/min | 최대 10ºC/min | 최대 10ºC/min |
| 열전대 | S-타입 (구역 1) / B-타입 (구역 2) | S-타입 (구역 1) / B-타입 (구역 2) | S-타입 (구역 1) / B-타입 (구역 2) |
| 제어 정확도 | ±1ºC | ±1ºC | ±1ºC |
| 총 전력 | 9 KW | 9 KW | 9 KW |
| 전압 | 220-240V 단상 | 220-240V 단상 | 220-240V 단상 |
| 전체 치수 | 780 x 450 x 720 mm | 780 x 450 x 720 mm | 780 x 450 x 720 mm |
| 규격 준수 | CE 인증 | CE 인증 | CE 인증 |
| 진공 한계 | < 0.02 Mpa (1500ºC까지 안전) | < 0.02 Mpa (1500ºC까지 안전) | < 0.02 Mpa (1500ºC까지 안전) |
1700C 듀얼 존 튜브 퍼니스를 선택해야 하는 이유
- 우수한 엔지니어링 및 재료 품질: SiC와 MoSi2 발열체를 조합하여 일반 퍼니스가 따라올 수 없는 긴 수명과 정밀한 성능을 제공합니다.
- 업계 최고의 열 구배 제어: 각 구역에 대한 독립적인 30단계 PID 제어를 통해 연구자는 타의 추종을 불허하는 반복성과 정확도로 복잡한 열 프로파일을 실행할 수 있습니다.
- 포괄적인 안전 및 규정 준수: CE 인증 및 내장된 과열 방지 기능을 갖춘 이 장치는 현대 산업 및 학술 실험실의 엄격한 안전 요구 사항을 충족합니다.
- 유연하고 확장 가능한 구성: 조절 가능한 튜브 크기부터 무선 원격 제어 및 Labview 통합 옵션까지, 이 시스템은 귀하 시설의 특정 처리량 및 데이터 기록 요구 사항을 충족하도록 맞춤화될 수 있습니다.
- 첨단 R&D에서의 입증된 신뢰성: 이 장비는 고급 재료 합성 분야의 필수 장비이며, 안정적인 진공 및 온도 환경을 유지하는 능력으로 선도적인 기관들로부터 신뢰받고 있습니다.
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