제품 개요

이 고온 듀얼 슬라이딩 퍼니스 시스템은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 및 급속 열처리를 위한 정교한 솔루션입니다. 정밀하게 설계된 슬라이딩 레일에 두 개의 독립적인 가열 장치를 통합하여, 열 구배 및 전환 속도를 타의 추종을 불허하는 수준으로 제어할 수 있습니다. 이 장비는 다양한 열 영역에서 정밀한 기상 반응과 고품질 박막 증착을 필요로 하는 재료 과학 연구자들의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 특별히 설계되었습니다.
주로 반도체 제조, 나노 재료 합성 및 고급 코팅 연구에 사용되는 이 시스템은 특정 재료 상을 달성하기 위해 급속 가열 및 냉각이 중요한 환경에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 듀얼 퍼니스 구성을 통해 전구체 증발 영역과 기판 증착 영역을 물리적으로 분리할 수 있으며, 이는 페로브스카이트나 2D 결정과 같은 복잡한 재료 성장에 필수적인 요구 사항입니다. 대상 산업 분야로는 항공우주, 에너지 저장 및 광전자 공학이 있으며, 이러한 분야에서는 차세대 기술 개발을 위해 재료의 순도와 구조적 무결성이 무엇보다 중요합니다.
산업용 등급의 신뢰성을 위해 구축된 이 장치는 고순도 석영과 고급 단열재를 사용하여 뛰어난 열 안정성을 유지합니다. 견고한 슬라이딩 메커니즘과 통합된 RF 플라즈마 소스는 까다로운 연속 작동 주기에서도 장비가 일관되게 성능을 발휘하도록 보장합니다. 이 시스템은 고온 합성을 위한 안정적이고 반복 가능한 플랫폼을 제공하여, 산업 및 학술 연구소에서 정밀도나 안전성을 저해하지 않고 복잡한 실험 프로토콜을 수행할 수 있도록 자신감을 제공합니다.
주요 특징
- 동적 듀얼 퍼니스 슬라이딩 시스템: 이 장비는 1200mm 크롬 도금 강철 슬라이딩 레일에 장착된 두 개의 독립적인 퍼니스를 특징으로 합니다. 이를 통해 가열 챔버를 수동으로 최대 400mm까지 이동할 수 있어, 사용자가 소스 증발 영역과 증착 영역 사이를 전환하거나 열원을 샘플에서 멀리 이동시켜 급속 열 담금질(quenching)을 수행할 수 있습니다.
- 고성능 RF 플라즈마 통합: 자동 매칭 기능이 있는 13.56MHz, 300W RF 발생기를 갖추고 있어 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)이 가능합니다. 플라즈마 소스를 사용하면 기존 CVD보다 훨씬 낮은 온도에서 박막 성장이 가능하여 민감한 기판의 무결성을 보존할 수 있습니다.
- 급속 열처리(RTP) 기능: 하나의 퍼니스를 예열한 후 처리 영역 위로 슬라이딩함으로써, 시스템은 극도의 가열 및 냉각 속도(특정 범위에서 최대 15°C/초)를 달성할 수 있어 고온 동역학 및 급속 어닐링 공정을 연구할 수 있습니다.
- 정밀 PID 온도 조절: 각 퍼니스 장치는 30개의 프로그래밍 가능한 세그먼트를 갖춘 전용 PID 자동 컨트롤러에 의해 제어됩니다. 이는 ±1°C의 일정한 온도 영역 정확도를 보장하여 민감한 화학 기상 증착에 필요한 일관성을 제공합니다.
- 고급 안전성 및 내구성: 퍼니스는 공기 냉각 기능이 있는 이중층 강철 구조를 사용하여 외부 표면 온도를 낮게 유지합니다. 내장된 과열 경보 및 보호 시스템은 긴 증착 주기 동안 안전하고 무인 작동을 가능하게 합니다.
- 고순도 재료 환경: 이 시스템에는 50mm 외경의 고순도 융합 석영 튜브와 스테인리스 스틸 진공 플랜지가 포함되어 있습니다. 이 설정은 고순도 재료 합성 및 저압 처리에 적합한 깨끗하고 진공 밀폐된 환경을 보장합니다.
- 다양한 열 구배 제어: 듀얼 존 설계를 통해 전구체와 기판을 독립적으로 가열할 수 있습니다. 이는 증기압이 다른 재료에 대해 반응 영역 내에서 화학량론적 균형을 유지하는 데 매우 중요합니다.
- 모듈식 확장 옵션: 이 시스템은 연구 요구 사항에 따라 성장할 수 있도록 설계되었으며, 선택 사양인 전동 슬라이딩 레일, 다채널 가스 혼합 시스템 및 자동화된 데이터 로깅과 프로필 관리를 위한 PC 기반 제어 모듈을 지원합니다.
응용 분야
| 응용 분야 | 설명 | 주요 이점 |
|---|---|---|
| 페로브스카이트 태양전지 | 증착 중 MAI 및 PbX2 증발 영역의 독립적 제어. | 박막 두께 및 입자 크기 균일성의 정밀 조정. |
| 2D 재료 합성 | 그래핀, MoS2 및 기타 전이 금속 디칼코게나이드의 대규모 CVD 성장. | 반복 가능한 성장 매개변수를 갖춘 고품질 결정 구조. |
| 탄소 나노튜브(CNT) | 금속 촉매를 사용하여 다양한 기판에서 저온 PECVD 성장. | 밀도 및 정렬 제어, 기판에 대한 열 손상 감소. |
| 반도체 박막 | 질화규소 또는 산화규소 패시베이션 층 증착. | 낮은 열 예산에서 달성되는 우수한 유전 특성 및 접착력. |
| CsPbBr3 미세결정 | 서로 다른 전구체에 대해 뚜렷한 온도 구배(예: 780°C 및 465°C) 제공. | 반응 영역 내 이상적인 화학량론적 비율 및 상 순도. |
| 열 담금질(Quenching) 연구 | 가열 챔버를 빠르게 이동시켜 급격한 온도 강하 유도. | 금속학적 분석을 위해 고온 상을 고정하는 능력. |
| 광전자 코팅 | 투명 전도성 산화물 및 다층 간섭 필터 증착. | 배치 전체에 걸쳐 뛰어난 광학적 선명도 및 일관된 박막 두께. |
기술 사양
| 매개변수 | TU-RT11 세부 정보 |
|---|---|
| 품목 번호 | TU-RT11 |
| 퍼니스 구조 | 독립적인 듀얼 유닛, 공기 냉각 기능이 있는 이중층 강철 |
| 최대 작동 온도 | 1200°C (1시간 미만) |
| 연속 작동 온도 | 1100°C |
| 가열 영역 길이 | 퍼니스당 200mm (총 400mm) |
| 항온 영역 | 60mm (±1°C @ 400-1200°C) |
| 슬라이딩 메커니즘 | 수동 크롬 도금 강철 레일, 길이 1200mm, 이동 거리 400mm |
| 가열 속도 (RT-150°C) | 15°C/초 |
| 가열 속도 (150-250°C) | 10°C/초 |
| 가열 속도 (250-350°C) | 7°C/초 |
| 가열 속도 (350-500°C) | 4°C/초 |
| 냉각 속도 (1000-950°C) | 15°C/초 |
| 냉각 속도 (950-900°C) | 10°C/초 |
| 냉각 속도 (500-400°C) | 1°C/초 |
| 플라즈마 RF 발생기 | 13.56 MHz, 5-300W 조절 가능, ± 1% 안정성 |
| RF 매칭 | 자동 |
| 처리 튜브 | 고순도 융합 석영, 50mm 외경 x 44mm 내경 x 1500mm 길이 |
| 온도 제어 | 듀얼 PID 컨트롤러, 30 세그먼트, ±1°C 정확도 |
| 열전대 | K-타입 열전대 2개 |
| 진공 수준 | 석영의 경우 1000°C로 제한; < 0.2 bar / 3 psi |
| 전원 요구 사항 | AC 120V 또는 208-240V 단상, 50/60 Hz, 총 2.5 KW |
| 규정 준수 | CE 인증 (플라즈마 발생기 및 퍼니스) |
TU-RT11을 선택해야 하는 이유
- 고급 듀얼 존 다목적성: 표준 튜브 퍼니스와 달리 TU-RT11의 듀얼 슬라이딩 설계는 복잡한 다단계 열처리와 독립적인 전구체 관리를 가능하게 하며, 이는 현대 재료 과학에 필수적입니다.
- 우수한 열 민첩성: 최대 15°C/초의 냉각 및 가열 속도를 달성할 수 있는 능력은 연구자들에게 산업용 급속 열처리(RTP) 및 담금질 환경을 시뮬레이션할 수 있는 도구를 제공합니다.
- 정밀 엔지니어링: 자동 RF 매칭과 ±1°C의 온도 정확도를 갖춘 이 시스템은 PECVD의 변수를 제거하여 박막 증착이 반복 가능하고 최고 품질임을 보장합니다.
- 포괄적인 규정 준수 및 안전성: 모든 장치는 CE 인증을 받았으며 이중층 안전 구조로 제작되어 고온, 고출력 RF 작동 중에도 안전한 실험실 환경을 보장합니다.
- 맞춤형 솔루션: 고압 응용 분야를 위한 합금 튜브부터 전동 슬라이딩 및 다채널 가스 공급에 이르기까지, 귀하의 특정 연구 목표에 맞게 장비를 조정할 수 있는 광범위한 맞춤화 서비스를 제공합니다.
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