3채널 가스 믹서 및 진공 펌프, 내부식성 진공 게이지가 포함된 3존 석영 튜브 퍼니스

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3채널 가스 믹서 및 진공 펌프, 내부식성 진공 게이지가 포함된 3존 석영 튜브 퍼니스

품목 번호: TU-43

최대 온도: 1200°C 가열 구역: 3개 독립 구역 (총 길이 880mm) 가스 혼합 시스템: 3채널 통합 유량 및 압력 모니터링
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제품 개요

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이 고성능 열처리 시스템은 정밀한 대기 제어가 필요한 첨단 재료 합성 및 화학 기상 증착(CVD) 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 3존 가열 구조와 정교한 가스 공급 매니폴드 및 진공 모니터링 제품군을 통합하여 복잡한 연구 개발 과제를 위한 턴키 솔루션을 제공합니다. 이 제품의 핵심 가치는 고품질 나노튜브, 나노와이어 및 그래핀과 같은 2D 재료 성장에 필수적인 맞춤형 열 구배(thermal gradient) 또는 확장된 등온 구역을 생성할 수 있다는 점입니다.

전문 R&D 실험실, 반도체 제조업체 및 산업 재료 과학 센터를 대상으로 하는 이 장치는 확산 도핑, 어닐링 및 대기 열처리와 같은 공정에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 시스템 설계는 유연성을 우선시하여 연구자가 내부 압력을 엄격하게 제어하면서 최대 3개의 전구체 가스를 고정밀도로 혼합할 수 있도록 합니다. 소규모 반도체 생산이나 학술적 재료 탐구 등 어떤 용도로 사용하든, 이 시스템은 다양한 온도 프로파일과 화학적 환경 전반에 걸쳐 일관되고 재현 가능한 결과를 보장합니다.

까다로운 조건에서도 신뢰성을 유지하도록 제작된 이 장비는 고급 공랭식 기술이 적용된 견고한 이중층 강철 케이싱을 특징으로 하며, 장시간 고온 사이클 중에도 외부 온도를 안전하게 유지합니다. 고순도 알루미나 섬유 단열재부터 내부식성 진공 센서에 이르기까지 모든 구성 요소는 최대의 수명과 작동 안정성을 제공하도록 선택되었습니다. 사용자는 가혹한 화학적 환경에서도 이 장비의 일관된 성능을 신뢰할 수 있으며, 이는 차세대 재료 과학에 중점을 둔 실험실의 초석이 될 것입니다.

주요 특징

  • 독립적으로 제어되는 3존 가열: 이 시스템은 독립적으로 프로그래밍할 수 있는 3개의 개별 가열 구역을 갖추고 있어 정밀한 온도 구배를 생성하거나 최대 25인치의 매우 긴 등온 구역을 형성하여 대형 또는 다중 샘플에 대한 균일한 열처리를 보장합니다.
  • 통합 3채널 가스 혼합: 이동식 가스 공급 카트에는 3개의 소형 직접 판독 유량계와 4개의 압력계가 포함되어 있어 복잡한 CVD 또는 반응성 대기 공정을 위해 최대 3가지 다른 가스를 동시에 모니터링하고 정밀하게 혼합할 수 있습니다.
  • 내부식성 진공 모니터링: 세라믹 코팅된 센서 헤드가 특징인 피라니 정전용량 다이어프램 게이지(Pirani Capacitance Diaphragm Gauge)를 장착하여 공격적이거나 부식성 가스가 존재하는 경우에도 정확한 진공 측정을 제공하며, 모니터링 하드웨어의 수명을 크게 연장합니다.
  • 고급 PID 자동화: 3개의 정밀 온도 컨트롤러는 30개의 프로그래밍 가능한 세그먼트와 함께 PID 자동 제어를 활용하여 ±1°C의 정확도로 가열 속도, 냉각 속도 및 유지 시간을 세밀하게 관리할 수 있습니다.
  • 고순도 석영 반응 환경: 80mm 직경의 융합 석영 튜브는 뛰어난 열충격 저항성과 화학적 불활성을 제공하며, 고순도 재료 합성의 무결성을 유지하는 데 필수적인 오염 없는 반응 챔버 역할을 합니다.
  • 분리형 챔버 설계: 퍼니스 쉘은 분리형 커버 구조를 특징으로 하여 공정 후 빠른 냉각을 촉진하고 전체 가열 어셈블리를 분해하지 않고도 반응 튜브를 쉽게 설치하거나 교체할 수 있습니다.
  • 포괄적인 안전 제품군: 과열 경보, 열전대 파손 감지 및 과온 차단 기능을 포함한 내장형 보호 메커니즘을 통해 긴 유지 시간의 열 사이클 중에도 안전한 무인 작동이 가능합니다.
  • 강력한 진공 성능: 포함된 120 L/m 로터리 베인 진공 펌프와 스테인리스 스틸 진공 플랜지 및 밸브를 통해 시스템은 10^-2 torr까지 진공 수준에 도달 및 유지할 수 있으며, 24시간 동안 안정성을 유지합니다.

응용 분야

응용 분야 설명 주요 이점
CVD 연구 탄화수소 전구체를 사용한 탄소 나노튜브(CNT) 및 그래핀 합성. 정밀한 가스 비율과 열 균일성으로 일관된 결정 형태 보장.
반도체 도핑 고온에서 실리콘 또는 화합물 반도체 웨이퍼 내로 도펀트 확산. 독립적인 구역을 통해 증기압 및 확산 깊이 제어 가능.
부식성 증기 합성 인 및 황 증기를 포함하는 CoP/MoS2와 같은 재료 합성. 내부식성 게이지와 불활성 석영 튜브가 반응 중 화학적 침식 방지.
대기 어닐링 불활성 질소 또는 아르곤 하에서의 응력 완화 및 결정 구조 개선. 3존 제어로 열충격을 방지하고 균일한 입자 성장 보장.
박막 증착 금속 또는 세라믹 기판 상의 기능성 코팅 기상 증착. 가스 압력 및 유량의 실시간 모니터링으로 층 두께 제어 보장.
나노와이어 성장 특수 기판 전반에 걸친 무기 나노와이어의 VLS(기체-액체-고체) 성장. 확장된 등온 구역이 고수율 배치를 위한 동일한 성장 조건 제공.
배터리 재료 R&D 제어된 산소 수준에서 양극 및 음극 전구체의 열처리. 옵션인 산소 센서 통합으로 공정 중 원치 않는 산화 방지.

기술 사양

사양 범주 TU-43 매개변수 세부 정보
모델 번호 TU-43
퍼니스 구조 공랭식 이중층 강철 케이싱; 고순도 알루미나 섬유 단열재
소비 전력 5 KW
입력 전압 AC 208-240V 단상, 50 또는 60 Hz
최대 온도 1200ºC
연속 작동 온도 1100ºC
최대 가열 속도 ≤ 20 ºC /min
가열 구역 구성 3개 구역 (총 880mm / 35"); 구역 1: 220mm; 구역 2: 440mm; 구역 3: 220mm
항온 구역 (3존 연결) 625 mm (25"), ±1ºC 편차
항온 구역 (중앙만) 110 mm (4.3"), ±1ºC 편차
온도 정확도 ±1ºC
발열체 Mo 도핑된 Fe-Cr-Al 합금
온도 컨트롤러 3x PID 컨트롤러; 30개 프로그래밍 가능 세그먼트; RS485 통신 포트
석영 튜브 치수 80 mm O.D x 72 mm I.D. x 1400 mm L
진공 게이지 유형 내부식성 정전용량 다이어프램 게이지 (세라믹 코팅)
진공 측정 범위 10^-5 ~ 1000 torr
진공 펌프 용량 120 L/m 로터리 베인 진공 펌프
진공 수준 (기계식 펌프) 10^-2 torr (최소 압력 5.5 m-torr)
진공 누설률 < 5 m-torr / min; 24시간 후 안정적인 진공 < 2 torr
가스 유량계 1 소형 직접 판독: 10 - 100 cc/min
가스 유량계 2 소형 직접 판독: 16 - 160 cc/min
가스 유량계 3 소형 직접 판독: 25 - 250 cc/min
가스 공급 시스템 4개의 압력계와 4개의 스테인리스 스틸 혼합 밸브가 포함된 이동식 카트
표준 준수 CE 인증 (요청 시 UL / MET / CSA 가능)

이 시스템을 선택해야 하는 이유

  • 비교할 수 없는 열적 범용성: 독립적인 3존 조절 기능을 통해 연구자는 복잡한 산업용 열 프로파일을 시뮬레이션하거나 표준 단일 구역 퍼니스보다 훨씬 우수한 온도 균일성을 유지할 수 있습니다.
  • 즉시 작동 가능한 통합성: 광범위한 조립이 필요한 모듈식 설정과 달리, 이 시스템은 가스 혼합 스테이션, 진공 펌프 및 고안정성 플랜지를 포함한 완전하고 테스트된 패키지로 제공되어 시운전 시간을 대폭 단축합니다.
  • 우수한 재료 무결성: 고순도 석영 반응 챔버와 특수 내부식성 진공 센서를 사용하여 반응성 화학 증기로 인해 흔히 발생하는 열화로부터 실험 샘플과 장비 하드웨어를 모두 보호합니다.
  • 정밀도 및 재현성: 고급 PID 컨트롤러와 NIST 교정 온도 프로파일의 조합은 모든 열 사이클이 극도의 정밀도로 실행되도록 보장하며, 이는 동료 심사 연구 및 산업 품질 관리에 중요한 요소입니다.
  • 미래 지향적 확장성: LabView를 통한 PC 기반 제어, 슬라이딩 샘플 홀더 및 산소 모니터링 통합 옵션을 통해 프로젝트 규모가 커짐에 따라 진화하는 연구 요구 사항을 충족하도록 장치를 업그레이드할 수 있습니다.

당사의 엔지니어링 팀은 귀하의 공정 요구 사항에 대한 기술적 검증을 지원할 준비가 되어 있습니다. 자세한 견적을 원하시거나 재료 과학 요구 사항에 맞는 맞춤형 구성을 논의하려면 지금 문의하십시오.

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